generación de chips más rápidos y resistentes

Un equipo de científicos e ingenieros de la Universidad de Stanford, la Universidad de Florida y el Livermore National Laboratory ha dado un paso importante a la hora de explotar las propiedades semiconductoras de un nuevo y exótico material de un solo átomo de grosor, llamado grafeno.

La fabricación del primer transistor N de grafeno, publicado esta semana en la revista Science, podría abrir la puerta a una nueva generación de chips más pequeños y mucho más rápidos. También los chips fabricados con este material serán más resistentes a las condiciones extremas y almacenarán más información que los actuales circuitos integrados de silicio.

“Todavía hay enormes desafíos para utilizarlo en productos comerciales (declara Jon Guo, de la Universidad de Florida) pero creo que en el futuro este material desempeñará un rol muy importante”

“Los chips de este material serán mucho más rápidos y resistentes que los clásicos circuitos de silicio” confirma Pablo Jarillo-Herrero, físico del MIT y especialista en esta rara forma del carbono.

El grafeno, una molécula de carbono también conocida como “la alambrada atómica”, debido a su estructura de panal de abeja con multitud de hexágonos interconectados, tiene propiedades semiconductoras, pero hasta ahora sólo se había conseguido fabricar transistores P (con «huecos» de electrones en la última capa del átomo).

El equipo de ocho investigadores ha conseguido desarrollar un transistor N (con electrones extra) lo que conduce a que en un futuro puedan fabricarse chips de grafeno combinando ambos tipos de transistores.



comentario: con estos chips creo que podran estas tranquilos por que son mucho mas resistentes y tienen gran capacidad de memoria.si se siguen juntando cientificos con tecnologicos seguro que conseguiran crear lo que se proponen.